反应了器件在导通景象下的损耗和收尾神秘顾客系统

发布日期：2024-01-11 12:34    点击次数：197

近日神秘顾客系统，昕感科技面向新动力界限推出一款分量级SiC MOSFET器件新址品（N2M120007PP0），完毕了业界跳动的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。

无人不晓，关于电动汽车来说，电驱动系统是最为中枢的部分。而在电机驱动系统中，MOSFET常常动作电机逆变器的要道元件，将直流电源调换为同样电源，以驱动三相电机运转。在这过程中，从电能到机械能的调换收尾即电驱动系统收尾就显得极其伏击。

联系于传统的硅基MOSFET来说，SiC MOSFET收获于SiC材料的加抓，具有更低的导通电阻、更低的开关损耗、更高的击穿电场强度和高温踏实性，不错使电机驱动系统具有更高的收尾、更高的功率密度，况且领有更长的使用寿命。

当今，繁多的电动汽车皆开动向800V高压平台迁徙，需要 800V—1200V的功率元器件相沿。而更高效的1200V SiC MOSFET恰是电动汽车800V高压平台必不能少的要道器件。

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关于SiC MOSFET来说，导通电阻是一项伏击的性能观点，反应了器件在导通景象下的损耗和收尾。在1200V的使命电压下，SiC MOSFET常常具备更低的导通电阻，不错完毕更高的功率密度和更低的能量损耗。

天然当今一些海外大厂的SiC MOSFET的导通电阻不错抑制在1200V/3mΩ以下，然则国产SiC MOSFET厂商由于起步相对较晚，当今导通电阻水平多半皆照旧在1200V/10mΩ以上。显着，神秘顾客项目昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片如故达到了业界跳动的水平。

据先容，昕感这款新品基于车规级工艺平台，领受先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，结合TO-247-4L Plus封装，有劲提高了国产碳化硅器件的性能。新址品对准新动力汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关运用，助力新动力界限快速更新换代，为国度“碳达峰、碳中庸”标的的完毕作念出孝顺。

昕感新品领受出色的TO-247-4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等上风，梗概显耀缩小开关损耗及轰动，提高器件散热进展。

昕感新品使命电流可达300A以上，具有正温度总共，可疏忽完毕大电流并联。同期，昕感新品的走电流极低（<1μA@1200V），具备优厚的高压阻断特点。

△N2M120007PP0器件部分静态特点

昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性观察（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同条款下平素动态开关。

△N2M120007PP0器件800V/200A下的开关波形

除TO-247-4L Plus等单管封装外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块，便于等闲完毕其在汽车主驱等新动力界限中的运用。

神秘顾客_赛优市场调研

昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技能冲突立异和居品研发坐蓐，勉力于于成为国内跳动和具有海外影响力的功率半导体变革引颈者。昕感科技领有从器件到模块再到运用的全历程高度定制化技能才智，梗概匹配各界限客户需求，匡助客户快速开发相反化竞争上风。

昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块居品量产。其中，1200V SiC MOSFET居品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻规格，模块居品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装神志。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，也瑰丽着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。

裁剪：芯智讯-浪客剑神秘顾客系统

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